order_bg

products

IRF100S201 IRF100S201 IRF100S201 Smert IC Chips BOM Service pro IRF100S201 Nova originali

Description:


Product Detail

Product Tags

Product attributa

EXEMPLUM DESCRIPTIO
Categoria Discrete Semiconductor Products

Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Mfr Infineon Technologies
Series HEXFET®, StrongIRFET™
sarcina Tape & Reel (TR)

Cut Tape (CT)

Digi-Reel®

Product Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Exhaurire ad Source intentione (Vdss) 100 V
Current - Continuus Exhaurire (Id) @ 25°C 192A (Tc)
Coegi intentione (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Porta Praecipe (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9500 pF @ 50 V
FET Feature -
Potentia dissipatio (Max) 441W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Adscendens Type Superficie montis
Elit Fabrica Package PG-TO263-3
Sarcina / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis Product Number IRF100

Documenta & Media

RESOURCE EXEMPLUM LINK
Datasheets IRF100(B,S)201
Alia documenta Related IR Part Numbering System
Featured Product Data Processing Systems
HTML Datasheet IRF100(B,S)201

Environmental & Import Classifications

TRIBUO DESCRIPTIO
RoHS Status ROHS3 Compliant
Humorem Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) ;
SPATIUM Status SPATIUM Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Additional Resources

TRIBUO DESCRIPTIO
Alia Nomina IRF100S201CT

IRF100S201-ND

SP001550868

IFEINFIRF100S201

IRF100S201TR

IRF100S201DKR

2156-IRF100S201

Latin Package 800

Transistor est fabrica semiconductor quae vulgo in amplificationibus vel electronicis virgas moderatur.Transistores sunt caudices structurae fundamentales quae operationem computers, telephoniis gestabilibus et omnibus curriculis electronicis modernis moderantur.

Ob velocitatem responsionis velocitatem et accurationem altam, transistores adhiberi possunt pro varietate functionum digitalium et analogicarum, inclusa amplificatione, commutatione, intentione moderante, signo modulationis et oscillatoris.Transistores singillatim vel in minimo ambitu comprehendi possunt qui 100 miliones vel plures transistores tenere possunt ut partem circuli integrati.

Transistor cum electronico tubi comparatus multa commoda habet;

1.Component non habet consummatio

Tubus utcumque bonus est, paulatim degeneret propter mutationes atomorum cathode et ultrices aeris chronica.Causae technicae transitores eandem quaestionem habuerunt cum primi facti sunt.Progressus materiae et emendationum in multis aspectibus, transistores typice 100 ad 1,000 tempora longiores quam electronici tubi durant.

2.Consume potentiae valde modicum

Est una tantum decima vel decem unius tubi electronici.Filamentum calefacere non indiget ut electronici sicut tubi electronici liber efficiat.Radiophonia transistor paucis gravida siccis tantum indiget ut sex menses in anno audiat, quod difficile est ad radiophonicum fistulam facere.

3.No opus preheat

Opus quam primum in te vertere.Exempli gratia, radiophonicus transistor quam primum volvitur abit, et transistor televisificis picturam quam primum in se vertit.Vacuum tubo apparatu facere non potest.Post tabernus, expecta paulisper ut sonum audias, picturam vide.Plane in re militari, mensura, memoria, etc., transistores valde utiles sunt.

4.Strong et certa

100 temporibus certiora quam tubus electronico, resistentia concussa, resistentia vibrationis, quae incomparabilis est tubo electronico.Praeterea magnitudo transistoris est una decima ad centesimam magnitudinem tubi electronici, caloris minimi emissio, adhiberi potest ad designandum parvum, complexum, certos circuitus.Etsi processus fabricandi transistoris accuratus est, simplex processus est, qui ad densitatem partium institutionem augendam confert.


  • Priora:
  • Deinde:

  • Epistulam tuam hic scribe et mitte nobis