SN74CB3Q3245RGYR 100% New & Original DC To DC Converter & Switching Regulator Chip
Product attributa
| EXEMPLUM | ILLUSTRATO |
| genus | Signum switcher, multiplexer, decoder |
| manufacturer | Texas Instrumenta |
| series | 74CB |
| wrap | Tape et volvens sarcinas (TR) Insulating taeniola sarcina (CT) Digi-Reel® |
| Product status | Active |
| type | Bus switch |
| circuitu | 8 x 1：1 |
| Independentes ambitus | 1 |
| Current - output altum, humilis | - |
| Voltage copia fons | Una potentia copia |
| Voltage - Power copia | 2.3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Genus institutionem | Superficiem tenaces genus |
| Sarcina / Praesent | codex expositus 20-VFQFN |
| Vendor component encapsulation | 20-VQFN (3.5x4.5) |
| Product dominum numerum | 74CB3Q3245 |
Product Introduction
SN74CB3Q3245 est summus Sedis FET bus transibit adhibens crimen sentinam ad elevandum voltationem portae transistoris transeuntis, praebens resistentiam humilem et plana ON-statum (ron).Resistentia humilis et plana ON-status permittit moram propagationis minimam et sustinet mutandi in input/output (I/O) in notitia initus railum.Cogitatus etiam notat humilis notitias I/O facultatem ad magnas capacitivas onerandas et insignem deformationem in bus data.Speciatim ordinatur ad applicationes altas sedandas, SN74CB3Q3245 optimam solutionem interfaciei praebet bene aptam ad communicationum laxitatem, networking et intensiva systemata computandi data.
SN74CB3Q3245 constitutum est ut 8-frenum transitum cum uno output-enable (OE\) input.Cum OE humilis est, transitum bus ON et Portus portui B iungitur, data bidirectionalia inter portus fluere sino.Cum altus est OE, transitum bus ON est et status summus impeditio inter portus A et B existit.
Haec machina plene definita est applicationes partiales potestates in Ioff utentes.Circuitus Ioff impedit refluvium venae detrimentum per machinam cum potestas descendit.Cogitatus solitudo per potentiam interiit.
Ut summus impedimentum status in potestate vel potentia descendat, OE ad VCC per pullupum resistorem alligantur;valor minimus resistentis determinatur per facultatem aurigae currenti-mersae.
Product Features
- Princeps Sed Data Path (usque ad D MHz)
- Equivalent to IDTQS3VH384 Fabrica
- V-V Tolerant I / Os cum Fabrica nectunt-Sursum vel nectunt-Down
- Humilis et plana ON-Statua Repugnantia (ron) Characteres Plus Operating Range (ron = 4ΩTypical)
- Rail-ut-Rail Switching in Data I / O PortsBidirectional Data fluunt, Cum prope Nulla Propaganda moraHumilis Input/Output Capacitance Minimizes Loading and Aliquam Distortion (Cio(ON) = 3.5 pF Typical)
- 0- ad V-V Switching Cum 3.3-V VCC
- 0- ad 3.3-V Switching Cum 2.5-V VCC
- Fast Switching Frequency (inimice\ = 20 MHz Max)
- Data et Imperium Inputs Provide Undershoot Fibulae Diocles
- Low Power Consumptio (ICC = I mA Typical)
- VCC Operating dolor A 2.3 V ad 3.6 V
- Data I/Os Support 0 ad V-V gradus significans (0.8-V, 1.2-V, 1.5-V, 1.8-V, 2.5-V, 3.3-V, V-V).
- Imperium Inputs agi potest per TTL vel V-V/3.3-V CMOS Outputs
- Ioff subsidia partiales-Power-down Modus Operationis
- Claustrum euismod Excedit 100 mA Per JESD 78, Classis II
- ESD euismod Expertus Per JESD 22Supports utrumque Digital et Analog Applications: PCI Interface, Differentialis Interface, Memoria Intercedens, Bus Isolatio, Humilis Distortio Signum Gating
- 2000-V (A114-B, Classis II);
- 1000-V Munus-Device Model (C101)
Product Beneficia
- scelerisque procuratio et cura tutela
Scelerisque procuratio alia maior provocatio pro pugna designantium patina est.Omnis patina chip experitur guttam intentionis in processu praecipiens propter calorem dissipationis.Ad vitare altilium damnum vel shutdown systematis, maxime phialas incorporant formam aliquam mechanismi regiminis ad calorem constructum administrandi.Recentiores machinis commentis technicis magis sophisticatis utuntur ad monitorem continenter temperie moriendi et dynamice currenti calculum accommodare vel calculum ad rate proportionalem mutationi in temperatura ambiente.Hoc constructum in intelligentia permittit currente disco chip ad paulatim currentem incurrens reducere donec scelerisque aequilibrium perveniat et temperatura mori desinat.Haec ars technologiam patitur patinam continenter denuntiare pilam ad quam maxime currentem sine causa claudiendi systematis, ita altilium tempus imponens.Pleraque recentiora hodie machinis etiam typice mechanismum tutelae praecaventiae addunt.
In patina BQ25616JRTWRprovidet varias lineas tutandas pro pugna incurrentes et systematis operationes, inclusa altilium thermistoris negativi temperatus vigilantia coefficientis, salutis timoris ac praecurrentis tutelae et plusquam tutelae.Scelerisque ordinatio crimen currentem minuit cum temperatura coniunctas 110°C excedit.STAT output nuntiat status crimen et condiciones quaelibet culpae.
Application missiones
Chipum in patina pugna ad quandam vim administrationis chip pertinet, ampliatio amplitudo amplissima est.Progressio potestatis administrationis astulae magni momenti est ad emendandam totius machinae executionem, electio potestatis administrationis astulae directe ad necessitates systematis pertinentes, cum evolutionis digitalis potentiae administratione astulae sumptus obice etiamnum transire oporteat.
BQ25616/616J est valde integrata 3-A switch-modus altilium crimen administrationis ac potentiae viae administrationis fabrica unius cellae Li-Ionis et Li-polymer gravida.Solutio valde integrata cum initus vicissim interclusio FET (RBFET, Q1), altae partis permutationis FET (HSFET, Q2), laterum humilis permutationis FET (LSFET, Q3), et altilium FET (BATFET, Q4) inter systema et altilium.Impedimentum potentiae humilis semita optimizat switch-modus operandi efficientiam, pugna minuit tempus praecurrens et pugna extendit tempus in obeundis temporibus.
BQ25616/616J est valde integrata 3-A switch-modus altilium crimen administrationis ac ratio Power Path administratione fabrica pro Li-ion et Li-polymer gravida.Praecipua lineamenta celeriter incurrentia cum alta intentione intentionis subsidium pro amplis applicationibus inter oratores, industriales et medicas machinas portatiles inclusae sunt.Impedimentum eius humilis potentia semita optimizat efficientiam switch-modus operationis, tempus minuit pugnans impetum, et pugna extendit tempus per missionem temporis.Eius initus voltage et ordinatio currentis maximam vim in altilium incurrentes libera.
Solutio valde integrata cum initus vicissim interclusio FET (RBFET, Q1), altae partis permutationis FET (HSFET, Q2), laterum humilis permutationis FET (LSFET, Q3), et altilium FET (BATFET, Q4) inter systema et altilium.Etiam in bootstrap diode perficit pro parte portae princeps coegi pro simpliciori systematis consilio.Ferramenta occasum et status relationem facilem configurationem praebet solutionem erigi praecipiens.
