(Contact Best Price) IRLML9303TRPBF Electronic Components Partes Integrated Circuit MCU IC Chips IRLML9303TRPBF
Product attributa
| EXEMPLUM | DESCRIPTIO |
| Categoria | Discrete Semiconductor Products |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Series | HEXfET® |
| sarcina | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® |
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Exhaurire ad Source intentione (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuus Exhaurire (Id) @ 25°C | 2.3A (Ta) |
| Coegi intentione (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 2.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10µA |
| Porta Praecipe (Qg) (Max) @ Vgs | 2 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Potentia dissipatio (Max) | 1.25W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Adscendens Type | Superficie montis |
| Elit Fabrica Package | Micro3™/SOT-23 |
| Sarcina / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 . |
| Basis Product Number | IRLML9303 |
Documenta & Media
| RESOURCE EXEMPLUM | LINK |
| Datasheets | IRLML9303TRPbF |
| Alia documenta Related | Part Number Guide |
| Product Training Modules | Princeps intentione Integrated Circuitus (HVIC Gate Coegi) |
| Design Resources | IRLML9303TRPBF Saber Model |
| Featured Product | Data Processing Systems |
| HTML Datasheet | IRLML9303TRPbF |
| EDA exemplum | IRLML9303TRPBF by Ultra Librarian |
| Simulatio exemplum | IRLML9303TRPBF Spice Model |
Environmental & Import Classifications
| TRIBUO | DESCRIPTIO |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Humorem Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) ; |
| SPATIUM Status | SPATIUM Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Additional Resources
| TRIBUO | DESCRIPTIO |
| Alia Nomina | IRLML9303TRPBFDKR IRLML9303TRPBFCT IRLML9303TRPBF-ND SP001558866 IRLML9303TRPBFTR |
| Latin Package | 3,000 |
Transistor est fabrica semiconductor quae vulgo in amplificationibus vel electronicis virgas moderatur.Transistores sunt caudices structurae fundamentales quae operationem computers, telephoniis gestabilibus et omnibus curriculis electronicis modernis moderantur.
Ob velocitatem responsionis velocitatem et accurationem altam, transistores adhiberi possunt pro varietate functionum digitalium et analogicarum, inclusa amplificatione, commutatione, intentione moderante, signo modulationis et oscillatoris.Transistores singillatim vel in minimo ambitu comprehendi possunt qui 100 miliones vel plures transistores tenere possunt ut partem circuli integrati.
Transistor cum electronico tubi comparatus multa commoda habet;
1.Component non habet consummatio
Tubus utcumque bonus est, paulatim degeneret propter mutationes atomorum cathode et ultrices aeris chronica.Causae technicae transitores eandem quaestionem habuerunt cum primi facti sunt.Progressus materiae et emendationum in multis aspectibus, transistores typice 100 ad 1,000 tempora longiores quam electronici tubi durant.
2.Consume potentiae valde modicum
Est una tantum decima vel decem unius tubi electronici.Filamentum calefacere non indiget ut electronici sicut tubi electronici liber efficiat.Radiophonia transistor paucis gravida siccis tantum indiget ut sex menses in anno audiat, quod difficile est ad radiophonicum fistulam facere.
3.No opus preheat
Opus quam primum in te vertere.Exempli gratia, radiophonicus transistor quam primum volvitur abit, et transistor televisificis picturam quam primum in se vertit.Vacuum tubo apparatu facere non potest.Post tabernus, expecta paulisper ut sonum audias, picturam vide.Plane in re militari, mensura, memoria, etc., transistores valde utiles sunt.
4.Strong et certa
100 temporibus certiora quam tubus electronico, resistentia concussa, resistentia vibrationis, quae incomparabilis est tubo electronico.Praeterea magnitudo transistoris est una decima ad centesimam magnitudinem tubi electronici, caloris minimi emissio, adhiberi potest ad designandum parvum, complexum, certos circuitus.Etsi processus fabricandi transistoris accuratus est, simplex processus est, qui ad densitatem partium institutionem augendam confert.
